一度は絶望視された次世代技術が、実用化へ向けて動きだした。

蘭ASMLは、2018年に約20台のEUV(極端紫外線)露光装置を出荷する見通しだ。製造装置の中でも半導体ウエハに回路を描く露光装置は、微細化技術の要。ASMLは1990年代からEUVの技術開発に着手、光の波長をより短くすることで実現を目指してきた。

現行の最先端はArF(フッ化アルゴン)液浸技術が用いられており、一度の露光で38ナノメートル、複数回の露光により19ナノメートルまで微細化が可能となる。これに対しEUVでは、1回の露光で13ナノメートルが実現できるようになる。